Samsung Foundry перекраивает Fab 2 в Тейлоре под логику HBM4, оставляя рынок DRAM в структурном дефиците

Samsung Foundry окончательно забетонировала архитектуру Fab 2 в техасском Тейлоре, отдав 250 тысяч квадратных метров площади под базовую логику HBM4.

HBM4 требует совершенно иного подхода, ведь базовый кристалл из простого куска кремния превращается в кастомный контроллер, заточенный под конкретный ускоритель. Базовую логику сейчас печатают по 4-нм техпроцессу, а для новой техасской линии анонсируют переход на 2 нм, потому что стеки с DRAM 1c и скоростью 11,7–13 Гбит/с на контакт требуют не просто управления, а серьезной вычислительной мощности прямо под стопкой. Пропускная способность одного пакета упирается в 3,3 Тбайт/с, и чтобы вытащить эти объемы, Samsung фактически превращает свою foundry-дочку в придаток для сборки turnkey-решений, где логика, память и упаковка замыкаются на одном клиенте. Основной объем, по инсайдам, забирает AMD, но Nvidia тоже смотрит в сторону Тейлора, хотя и со своими тараканами в виде NVHBM. В этой архитектуре контроллер памяти вообще уезжает из GPU в базу, экономя 25 % площади вычислительного кристалла и снижая энергопотребление на 15 %. TSMC уже изъявила желание выпускать такие контроллеры, а Samsung пока молчит, предпочитая продавать саму идею фабрики в США. Память для стеков при этом продолжат делать в Южной Корее, а в Техасе займутся только финальной сборкой и базовой логикой.

Логикой.

Логикой, которой у TSMC пока больше, но южнокорейцы отчаянно пытаются отгрызть себе кусок, снижая цену ошибки на узле 4n-NO и забирая заказы Tesla, Qualcomm и Google.

Google, как и остальные, уже потребляет львиную долю памяти через инфраструктуру ИИ, а спрос на нее растет не на привычные 20–40 %, а в 4–6 раз, превращая любые новые фабрики в статистическую погрешность на фоне структурного дефицита.

Дефицита, который заставляет производителей банально перетягивать ресурсы с классической DDR, искусственно сжимая предложение и оставляя рынок продавцом еще на несколько лет.

Лет, в течение которых цены на память останутся высокими, а дефицит DRAM и NAND будет фиксироваться на уровне 10–12 %, пока китайская CXMT не научится штамповать 11,95-нм чипы на старом DUV-оборудовании с четверной экспозицией.

Экспозицией, которая позволяет Поднебесной обходить санкции и вплотную подходить к западным вендорам, но даже их аппетиты не покроют структурную дыру, образовавшуюся из-за того, что капитальные затраты в отрасли давно пробили потолок в 30–40 % от выручки.

Выручки, которая в Тейлоре начнется не раньше 2030 года.

Никита Карпов

Главный редактор

Пишу о гаджетах, нейросетях и том, как технологии меняют нашу жизнь. Проверяю всё на себе, чтобы вы не тратили деньги зря.