Samsung запустила строительство комплекса по выпуску ИИ-памяти в Оньяне с инвестициями 46 трлн вон

Жёлтые заголовки врут. Реальная цифра национального мегапроекта, стартом которого стала закладка первого камня 12 ноября 2026 года, составляет 4,7 квадриллиона южнокорейских вон (около $3,5 трлн) 3DNews. Непосредственно новый комплекс в Оньяне (провинция Чхунчхон) потянет на 46 трлн вон ($34,5 млрд). Это целевой бюджет на превращение площадки из центра сборки в узел передовой упаковки HBM-памяти.

Работы курировали президент Южной Кореи Ли Чжэ Мён и председатель совета директоров Samsung Electronics Ли Чжэ Ён. Объект представляет собой пятую производственную линию кампуса. Здание будет трёхэтажным, с чистыми помещениями площадью 31 000 м². Запуск назначен на июнь 2028 года. Ожидаемое создание 700 постоянных рабочих мест выглядит скромно на фоне общих инвестиций. Для высокоавтоматизированных производств полупроводников это типичная картина.

Структура капитальных затрат вскрывает приоритеты проекта. Из 46 трлн вон только 6 трлн выделено на строительство зданий и инфраструктуры. Оставшиеся 40 трлн вон пойдут на закупку и монтаж технологического оборудования. Соотношение затрат на оборудование к строительству составляет почти 6,7 к 1. Такой перекос стандартен для фабрик передовой упаковки: стоимость установок для термкомпрессионного соединения и систем оптического контроля качества TSV-переходов многократно превышает цену возведения чистых помещений класса ISO.

Фокус на передовой упаковке выбран не случайно. Производство высокоскоростной памяти HBM уперлось не в литографию, а в этап многослойной компоновки и тестирования кристаллов. Именно здесь сейчас находится основное «узкое горлышко» цепочки поставок для ИИ-ускорителей. Расширение кампуса с 270 000 до 420 000 м² позволит Samsung нарастить плотность соединений между памятью и процессором. Это критично для корпоративных клиентов: задержки на этапе упаковки напрямую влияют на сроки отгрузки готовых серверных решений.

Технология HBM предполагает объединение нескольких слоёв микросхем памяти в единую конструкцию с высокой плотностью соединений. Это позволяет кратно увеличить пропускную способность обмена данными. Такие решения востребованы в ускорителях искусственного интеллекта, работающих с большими массивами данных. Переход от сборки обычных полупроводников к передовой упаковке требует не просто новых зданий, а перестройки всей логистики внутри чистых помещений и переквалификации инженерного состава.

Для корпоративных заказчиков расширение мощностей Samsung означает потенциальное снижение дефицита HBM3E и HBM4 в среднесрочной перспективе. Однако стоимость владения серверными решениями останется высокой из-за дороговизны самого процесса передовой упаковки. Инвестиции в размере 40 трлн вон в оборудование свидетельствуют о том, что производитель делает ставку на автоматизацию контроля качества, что должно снизить процент брака. Тем не менее, выход^* на проектную мощность займёт не менее 12–18 месяцев после формального запуска.

Не стоит путать инвестиции в Оньяне с общими планами Samsung в регионе. Сумма в 144 трлн вон ($108 млрд) охватывает весь кластер в провинции Чхунчхон. В этот периметр входят дисплеи, аккумуляторы и компоненты для ИИ-серверов. Параллельно свои мощности здесь развивает SK hynix. Правительство ускоряет административные процедуры, но риски срыва сроков ввода в эксплуатацию всегда сохраняются из-за сложности интеграции нового оборудования и глобальных цепочек поставок.

К 2028 году кампус в Оньяне должен обеспечить стабильный объём выпуска HBM с высокой пропускной способностью. Рынок оценит результат не по площади чистых помещений, а по проценту выхода годных кристаллов на этапе финальной сборки. Пока это лишь заявленные производителем ориентиры.

Никита Карпов

Главный редактор

Пишу о гаджетах, нейросетях и том, как технологии меняют нашу жизнь. Проверяю всё на себе, чтобы вы не тратили деньги зря.